HYG035N02KA1C2 دیتاشیت

HYG035N02KA1C2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG035N02KA1C2
حجم فایل 68.306 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HYG035N02KA1C2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG035N02KA1C2
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 57.6W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 28nC@2.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.082nF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 95A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 700mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 510pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.6mΩ@4.5V,15A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه